根河純水設備廠

這兩種方法雖然清除形式不同，但都是采用化學反應的方法，使離子間交換，使水垢產生新的物質，便于人們清潔。爐內加藥法就是向鍋爐中加入一定量的化學試劑，讓其與水垢產生化學反應，從而生產新的物質，使得水垢的結構發生變化，達到清理鍋爐的目的。在鍋爐長時間運行過程中，鍋爐結構設備受到一定影響，同時爐內添加化學試劑只能減緩鍋爐水垢的作用，無法真正地對其進行清理，因此，這種方法已很少用于工業生產。目前爐外軟化法是使用較多的鍋爐水處理方法，爐外軟化方法是利用鈉離子的交換化學試劑，維用水處理,將水垢中的鈣離子和鎂離子交換處理使得水垢被軟化從而達到清除的目的。鍋爐水處理軟化水設備三、供熱鍋爐物理水處理方法化工水處理也叫化學軟化法，也叫爐內軟化法、爐外軟化法、爐外軟化法。這兩種方法雖然清除形式不同，但都是采用化學反應的方法，使離子間交換，使水垢產生新的物質，便于人們清潔。

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常用的預處理方法對于反滲透預處理，一方面要防止懸浮雜質、膠體、微生物污染膜，另一方面要防止難溶鹽在膜上析出，在采用化學方法處理原水時，還應注意膜與藥品兼容性的問題。對于小型RO系統，以較低回收率運行，把濃水中離子濃度降至較低，盡可能防止碳酸鈣的析出;對于大型RO系統，從經濟上考慮，要求水的回收率較高，防止碳酸鈣結垢可采用給水加酸處理。碳酸鈣的溶解度很大程度上取決于碳酸氫鹽的濃度和水的pH值。加人足量的酸進人給水，可降低碳酸氫鹽濃度(轉化為二氧化碳)和降低水的pH值，從而增加CaC03溶解度，防止碳酸鈣的形成。如果加酸系統失靈，導致CaC03析出，則一旦又有合適的酸量加人系統，則該垢又會溶解。對CA膜RO系統，加酸調節合適的pH值，既可降低膜水解速度，也是防止CaC03析出的主要手段。

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當原水硅酸鹽含量較高時，可投加石灰、氧化鎂(或白云粉)進行處理。硅的溶解度與水的溫度和pH值有關。當硅存在于RO給水中的濃度大于20mg/L時，必須作結垢傾向的評估pH< 9時，大多數硅以硅酸形式存在，即為氏Si04或寫作si (oH)4;在更低pH值條件下，硅酸會聚集形成膠體，稱硅膠;在州>9時，一定數量的硅以硅酸根Si誘一存在;在更高pH值條件下，Si咪一能與鈣、鎂、鋁形成鹽沉淀下來。由于硅垢的清洗比較困難，故防止其在膜上結垢是十分必要的。當反滲透系統與存在于原水中的懸浮物、膠體等雜質接觸時，它就有可能被污染。這些雜質在反滲透系統內濃縮時，就有可能聚集成大顆粒沉積在膜表面上。一旦發生此類污染，將影響膜的性能。如果及時采取措施，大多數的污染物可通過清洗除去。但是，清洗畢竟耗費人力物力，通過適當預處理，把反滲透污染降至低的程度，減少清洗頻率是十分必要的。常用方法有:混凝與沉淀處理、過濾、水的氯化處理等

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從其結構型式可分為兩種類型，即懸浮泥渣式和泥渣再循環式。脈沖式澄清器是一種懸浮泥渣式澄清器，見圖3-9。它在脈沖發生器的作用下，加藥后的原水在進水室內上升。當達到高水位時，液位開關自動打開空氣閥，進水室內的水通過澄清器底部的配水裝置進人澄清器內。上升的水流將泥渣層托起。當進水室內的水位降到低水位時，液位開關自動關閉空氣閥。在脈沖發生器的作用下，加藥后的原水又沿進水室上升，而底部的配水裝置不再進水，泥渣層在重力作用下被壓縮。當水位到達高水位時，空氣閥再度打開，水又進人澄清器內，將泥渣層又托起到原來的高度。這樣，使澄清器內活性泥渣層有規律地上下運動，形成周期性的膨脹和收縮，自動調整懸浮層濃度的均勻分布，有助于礬化顆粒的接觸、碰撞，從而提高凈水效果。脈沖式澄清器的優點是澄清效率高;構造簡單且可隨場地的布置而制作成方形、圓形、矩形;維修保養簡便;適應性強。

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反滲透ro膜化學清洗常運行條件下，反滲透膜也可能被無機物垢、膠體、微生物、金屬氧化物等污染，這些物質沉積在膜表面上會引起凈水設備反滲透裝置出力下降或脫鹽率下降、壓差升高，甚至對膜造成不可恢復的損傷，因此，為了恢復良好的透水和除鹽性能，需要對膜進行化學清洗。一般3～12個月清洗一次，如果每個月不得不清洗一次，這說明應該改善的預處理系統，調整的運行參數。如果1～3個月需要清洗一次，則需要提高設備的運行水平，是否需要改進預處理系統較難判斷。新膜元件(1) 膜元件在出廠前都經過了通水測試，并使用1%的亞硫酸鈉溶液進行儲藏處理，再用氧氣隔絕袋真空包裝;(2) 膜元件必須一直保持在濕潤狀態。即使是在為了確認同一包裝的數量而需暫時打開時，也必須是在不損壞塑料袋的狀態下進行，此狀態應保存到使用時為止;(3) 膜元件應該保存在5——10℃的低溫下。在溫度超過10℃的環境中保存時要選擇通風良好的場所，并且避免陽光直射，保存溫度不要超過35℃;(4) 膜元件如果發生凍結就會發生物理破損，所以要采取保溫措施，不要使之凍結;(5) 堆放膜元件時，包裝箱不要超過5層，并要確保紙箱保持干燥。