赤峰凈水設備工廠

附著在管壁上生長繁殖，并有可能引起管道腐蝕;如在砂濾器中繁殖，則會增大過濾器的阻力;還會引起反滲透膜的污染。因此，殺菌通常是海水預處理的第一步。殺菌通常是向海水中加人氯氣，利用水中的次氯酸及次氯酸根的強氧化作用，殺滅各種菌藻類及微生物。通常氯氣的加人量為1一Smg/I.。當采用R0聚酞胺膜或復合膜時，應先除氯，以防反滲透膜的損壞。2)沉降海水中含有的懸浮顆粒在海水輸送過程中會磨損管壁，加劇管道腐蝕，并會污染反滲透膜。沉降就是使海水中較大的懸浮顆粒，利用其自身重力作用沉降下來。分自然沉降和凝聚沉降，其區別在于:凝聚沉降是向水中加人凝聚劑，使較小的懸浮顆粒、膠體也能聚集成大顆粒沉降下來。

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軟化器中陽離子交換樹脂將吸附透過介質過濾器的殘余聚合物。如果軟化器僅當作去除殘余的聚合物為目的，則不必用鹽(NaCI)再生。根據助凝劑的性質，臨時用196氧處理，則足以除去吸附的聚合物。9.常用的(沉淀)澄清設備沉淀或澄清設備就是利用凝聚沉降的原理把原水中的微小懸浮物和膠體雜質經過混凝處理后，從水中分離出來的裝置。實際上，經過混凝處理的原水，水中的微小懸浮物和膠體雜質凝聚成較大的顆粒，這些大的顆粒依靠重力作用從水中分離出來，這一過程習慣稱為沉淀。水中細小雜質沉淀出來后，水就得到了澄清，0因此，常說的沉淀池又稱澄清池。常用的澄清器類型有:平流式澄清器、斜管式和斜板式沉淀池、機械加速橙清器、水力澄清器等。(1)平流式澄清器見圖3-7。平流式澄清器是早期的澄清器。進行混凝或其它加藥沉淀處理時，應另設混合器和反應器，當采用正電聚合物作為助凝劑時，它們加進水中，可以中和

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電位的測定爹電位是雙電層內的剪切平面的電位，它與帶電顆粒的遷移數(稱淌度)有關。套電位取決于顆粒表面電位(能斯特電位)和雙電層的厚度夸電位可用Zeta電位計來測定，它的值的大小取決于帶電顆粒間靜電斥力。在天然水中顆粒夸電位常在一20一一40mV之間，依靠中和作用失穩的膠體物質的套電位接近于零，此時混凝劑量可確定為佳值。但是，當混凝過程是在有擋板的澄清器內形成時，并不能單獨依靠爹電位確定佳的混凝劑量。應注意的是，夸電位表明顆粒帶電的程度，但不一定表明是否有充足的礬花形成。由于影響混凝的因素很多，在整個混凝模擬過程中，應由出水質量如濁度值來確定混凝優條件。(3) SCI〕儀混凝效果的另一個監測方法，是利用流動電流監測儀(SCD)。該裝置是使用機械堵塞器，產生較高的水流速，引起環繞在相反電性的懸浮顆粒(通常負電)周圍的帶電離

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加酸處理給水的RO系統停機時，過飽和Cq將會從水中逸出，一旦發生此情況，水中pH將上升，因在RC〕系統后面部分的膜元件接觸的鹽濃度高，pH的升高將有可能形成CaC03結垢，當RO系統投人并降低水的pH至一定值后，形成的CaC03會很快溶解返回溶液中，但是，如果停機時間長，膜表面上形成的CaC43的區域將引起CA膜水解速度加快，從而影響CA膜的性能。除鈣離子外，其它多價陽離子也會形成難溶的碳酸鹽垢。控制碳酸鈣垢的方法對其它碳酸鹽垢的形成也是有效的。除非其它多價陽離子濃度大于鈣離子濃度(在天然水中此情況是很少的)，利用計算碳酸鈣的結垢傾向足以反映碳酸鹽垢是否沉淀析出。利用加酸處理防止CaC43結垢析出時，一般來說，LSI值應小于零。當給水加阻垢劑處理時，可以使RO系統濃水在較高LSI值運行，并延緩沉淀析出。